良率提升和预测

#降低生产成本

良率提升和产品预测方案是通过数值物理仿真、智能试验设计(DOE)、公差分析、优化设计以及历史信息管理等方法,发现和解决生产过程中各种影响良率的因素;同时获取制造参数、元件物理机理和性能浮动三者之间的关联;尤为重要的是,关乎良率提升的数据积累和梳理可以提升对产品性能极限的预测能力。本方案可以协助客户加快制造流程和生产设备的改进,节省良率提升和新产品研制的时间,可广泛运用于各类半导体元器件的研制环节。

本方案涉及的产品类型包含不限于:

  • 鳍式场效应晶体管(FINFET)
  • 全环栅晶体管(GAAFET)
  • 高电子迁移率晶体管(HEMT)
  • 碳化硅(SiC)晶体管
  • 边发射激光器(EEL) 
  • 面发射激光器(VCSEL)
  • 无源和有源硅光子(Silicon Photonics)器件
  • 互补金属氧化物半导体图像传感器(CIS)
  • 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
  • 发光二极管(LED)
  • 薄膜晶体管(TFT)