专题:标准半导体工艺和器件
九层之台,起于累土。本专题将介绍Nuwa TCAD软件对标准半导体工艺和器件的仿真,分析结果及其物理正确性,为复杂器件的仿真打好基础

基本案例仿真 金属-半导体接触(MS)

   金属-半导体接触(MS)在直流、微波应用以及组成其它半导体器件方面十分重要,广泛应用于光电探测器、太阳电池、MESFET栅电极的制作。根据金属和半导体功函数的关系,金半接触可以形成阻挡层和反阻挡层两种情况,对于一块n掺杂的半导体,当金属功函数大于半导体时,交界面处将形成阻挡层;当金属功函数小于半导体时,将形成反阻挡层。我们将展示 Nuwa TCAD工具对金属-半导体接触(MS)的仿真,讨论形成阻挡层和反阻挡层时的电流电压特性。

一、材料参数

1 基本参数

材料名称 硅(Si) 铝(Al) 镁(Mg)
禁带宽度/eV 1.166-4.73×10-4•T2/(T+636.0) N/A N/A
相对介电常数 11.9 N/A N/A
亲和势/eV 4.05 4.3 3.7
电子有效质量/m0 0.3165+1.3628×10-4•T N/A N/A
空穴有效质量/m0 0.523+1.4×10^-3•T-1.48×10-6•T2 N/A N/A
电阻率/Ω·m N/A 2.74×10-8 4.3×10-8

默认温度 T=300K

2 模型

1.Mobility Model Low Field:Analytic Low-Field Mobility Model

μ0=μ1(TL300)α+μ2(TL300)βμ1(TL300)α1+(NNcrit)δ(TL300)γ\mu_0 = \mu_1 \cdot(\frac{T_L}{300})^{\alpha}+\frac{\mu_2 \cdot (\frac{T_L}{300})^{\beta} - \mu_1\cdot(\frac{T_L}{300})^{\alpha}}{1 + (\frac{N}{N_{crit}})^{\delta} \cdot (\frac{T_L}{300})^{\gamma}}
symbol parameter name electron value Hole value units
μ1 mu1 0.005524 0.00497 m2/(V*s)
μ2 mu2 0.142923 0.047937 m2/(V*s)
α alpha 0.0 0.0 N/A
β beta -2.3 -2.2 N/A
γ gamma -3.8 -3.7 N/A
𝛿 delta 0.73 0.70 N/A
Ncrit Ncrit 1.072×1023 1.606×1023 m-3

High Field:Canali Model

μ=μ0(1+(μ0F/vs)β)1/β\mu=\frac{\mu_0}{\left(1+\left(\mu_0 F / v_s \right)^{\beta}\right)^{1 / \beta}} vs=α1+θexp(TLTnom)v_s = \frac{\alpha}{1+\theta \cdot exp\left( \frac{T_L}{T_{nom} } \right)} β=β0(TL300)βexp\beta = \beta_0 \cdot \left( \frac{T_L}{300} \right)^{\beta_{exp}}
symbol parameter name electron value Hole value units
β0 beta0 1.109 1.213 N/A
βexp betaexp 0.66 0.17 N/A
α alpha 2.4×105 2.4×105 m/s
θ theta 0.8 0.8 N/A
Tnom Tnom 600 600 K

2.Carrier Statistics:Fermi-Dirac distributions

3.Incomplete Ionization Model

二、结构建立

   由于铝(Al)的功函数(即亲和势)为4.3eV,大于一块n掺杂硅(Si)的功函数,因此在金半接触时会形成阻挡层;镁(Mg)的功函数(即亲和势)为3.7eV,小于一块n掺杂硅(Si)的功函数,因此会形成反阻挡层。

1 基底与工艺选择

   基底材料:硅(Si)

   工艺:

  步骤1 对硅(Si)进行n掺杂,掺杂浓度为1×1017cm-3

  步骤2 在基底硅(Si)上沉积一层铝(Al)/镁(Mg)

2 电极

   铝(Al)/镁(Mg)外接欧姆电极:anode    硅(Si)外接欧姆电极: cathode

三、平衡态求解

   电极anode、电极cathode电压均为0V

四、非平衡态求解

   电极cathode电压保持0V,电极anode电压由-3V增加至5V

五、仿真结果及物理正确性的分析

1 基本物理量分布

   n掺杂浓度为1×1017cm-3的Si的功函数约为4.2eV,因此和功函数为4.3eV的Al接触时,交界面附近能带向上弯曲,电子从半导体一侧向金属运动时存在势垒阻碍,称为阻挡层;和功函数为3.7eV的Mg接触时,交界面附近半导体能带向下弯曲,电子浓度变大,电子从半导体向金属运动相对容易,称为反阻挡层。阻挡层和反阻挡层情况平衡态下的能带图如下:

Si-Al阻挡层平衡态能带图Si-Mg反阻挡层平衡态能带图

2 特性曲线

   阻挡层情况 对于阻挡层情况,外加正向偏压下,半导体一侧势垒高度降低,电子更容易从半导体一侧向Al运动,因此电流随正向偏压的增大而增大;外加反向偏压下,半导体一侧势垒高度增加,而金属一侧的势垒高度不变,少量电子从金属向半导体运动,因此反向电流非常小。阻挡层情况的电流电压特性曲线如下:

   反阻挡层情况 对于反阻挡层情况,由于半导体和金属的交界面处电子浓度大,所以在外加电压下表现出欧姆特性。反阻挡层情况的电流电压特性曲线如下:

六、总结

   Nuwa TCAD仿真工具对金属-半导体接触(MS)的仿真结果符合物理特性:

  1.对于一块n掺杂的半导体,平衡态时,考虑金属功函数和半导体的差值,半导体能带在交界面处附近有一定弯曲,当金属功函数较大时,半导体能带向上弯曲,形成阻挡层;金属功函数较小时,半导体能带向下弯曲,形成反阻挡层。

  2.电流电压特性方面,阻挡层体现整流特性,反阻挡层体现欧姆特性。