专题:标准半导体工艺和器件
九层之台,起于累土。本专题将介绍Nuwa TCAD软件对标准半导体工艺和器件的仿真,分析结果及其物理正确性,为复杂器件的仿真打好基础

基本案例仿真 薄膜晶体管(TFT)

   薄膜晶体管(TFT)是半导体工业中最基础、最重要的三端电子元器件。TFT与MOSFET同为场效应晶体管,但与MOSFET不同的是,TFT的沟道使用相同掺杂类型的材料,栅极控制沟道导通的方式为多子积累。我们将展示 Nuwa TCAD工具对简单结构的薄膜晶体管(TFT)的仿真,讨论其输出和转移特性。

一、材料参数

1 基本参数

材料名称 多晶硅(Poly) 二氧化硅(SiO2 钼(Mo) 玻璃(Accuglass)
禁带宽度/eV 1.169-4.73×10-4•T2/(T+636.0) N/A N/A N/A
相对介电常数 11.9 3.9 13.6 3.9
亲和势/eV 4.17 1 4.9 1
电子有效质量/m0 0.33 N/A N/A N/A
空穴有效质量/m0 0.55 N/A N/A N/A
电阻率/Ω·m N/A N/A 5.3476×10-8 N/A

默认温度 T=300K

2 模型

1.Mobility Model Low Field:Analytic Low-Field Mobility Model

μ0=μ1(TL300)α+μ2(TL300)βμ1(TL300)α1+(NNcrit)δ(TL300)γ\mu_0 = \mu_1 \cdot(\frac{T_L}{300})^{\alpha}+\frac{\mu_2 \cdot (\frac{T_L}{300})^{\beta} - \mu_1\cdot(\frac{T_L}{300})^{\alpha}}{1 + (\frac{N}{N_{crit}})^{\delta} \cdot (\frac{T_L}{300})^{\gamma}}
symbol parameter name electron value Hole value units
μ1 mu1 0.005524 0.00497 m2/(V*s)
μ2 mu2 0.142923 0.047937 m2/(V*s)
α alpha 0.0 0.0 N/A
β beta -2.3 -2.2 N/A
γ gamma -3.8 -3.7 N/A
𝛿 delta 0.73 0.70 N/A
Ncrit Ncrit 1.072×1023 1.606×1023 m-3

High Field:Canali Model

μ=μ0(1+(μ0F/vs)β)1/β\mu=\frac{\mu_0}{\left(1+\left(\mu_0 F / v_s \right)^{\beta}\right)^{1 / \beta}} vs=α1+θexp(TLTnom)v_s = \frac{\alpha}{1+\theta \cdot exp\left( \frac{T_L}{T_{nom} } \right)} β=β0(TL300)βexp\beta = \beta_0 \cdot \left( \frac{T_L}{300} \right)^{\beta_{exp}}
symbol parameter name electron value Hole value units
β0 beta0 1.109 1.213 N/A
βexp betaexp 0.66 0.17 N/A
α alpha 2.4×105 2.4×105 m/s
θ theta 0.8 0.8 N/A
Tnom Tnom 600 600 K

2.Carrier Statistics:Fermi-Dirac distributions

3.Incomplete Ionization Model

二、结构建立

1 基底与工艺选择

   基底材料:玻璃(Accuglass)

   工艺:
   步骤1 在基底玻璃(Accuglass)上沉积一层多晶硅(Poly)
   步骤2 对多晶硅(Poly)进行p掺杂,两端掺杂浓度为1×1018cm-3,沟道中间掺杂浓度为1×1014cm-3
   步骤3 在多晶硅(Poly)上沉积一层二氧化硅(SiO2
   步骤4 在二氧化硅(SiO2) 上沉积一层钼(Mo)

2 电极

   钼(Mo)外接欧姆电极:栅极gate
   多晶硅(Poly)两侧外接欧姆电极: 源极source和漏极drain

三、平衡态求解

   栅极gate、源极source和漏极drain电压均为0V

四、非平衡态求解

   1 转移特性扫描 源极source电压保持0V,漏极drain电压保持5V,栅极gate电压由-20V增加至10V
   2 输出特性扫描 源极source电压保持0V,栅极gate电压分别保持-8V、-10V、-12V,漏极drain电压由0V增加至10V

五、仿真结果及物理正确性的分析

1 基本物理量分布

   平衡态下沟道中央p掺杂浓度较低,空穴浓度较低,沟道不导通;当栅极反向偏压后,沟道中出现多子积累效应,空穴浓度升高,当空穴浓度大到一定数值后,沟道导通。平衡态和栅极反向偏压(-10V)时空穴浓度分布如下:

平衡态空穴浓度分布栅极反向偏压(-10V)时空穴浓度分布

2 特性曲线

   转移特性 在源极电压保持0V,漏极电压保持5V,栅极电压由-20V增加至10V的过程中,栅极电压为负时沟道中间空穴发生多子积累,漏极电流较大;随着栅极电压增加,沟道空穴浓度减小,逐渐不导通,ID-VG曲线如下:

   输出特性 源极电压保持0V,栅极电压分别保持-8V、-10V、-12V,此时沟道已经导通,漏极电流随漏极电压增大而增大,而且栅极反向偏压越大,沟道的导电能力越强。ID-VD曲线如下:

六、总结

   Nuwa TCAD工具对薄膜晶体管(TFT)的仿真结果符合物理特性:
   1.转移特性曲线中,栅极正向偏压下沟道中间空穴浓度低,沟道不导通,电流很小;栅极反向偏压时,随偏压增大,沟道中间空穴出现积累,沟道导电能力增强,电流增大。
   2.输出特性曲线中,在栅极反向偏压下,漏极电流随漏极电压增大而增大;栅极反向偏压越大,漏极电流越大。