专题:硅光子器件
优化器件设计和分析内部物理机理,以提高硅光器件的性能和效率。

使用Macondo软件仿真设计聚焦光栅耦合器(Focusing Grating Coupler)

GMPT, 2024/07/08

  聚焦光栅耦合器 (Focusing Grating Coupler) 是一种将空间光耦合到光芯片的光子集成电路器件。 聚焦光栅耦合器基于光栅耦合器结构,采用弯曲形结构代替传统的条形结构,使光波在光栅传输中的等相位面实现了汇聚,大大缩短锥形波导的尺寸。因此,聚焦光栅耦合器不仅有光栅耦合器可实现的晶圆级自动测试等优点,还有使得耦合结构更加紧凑的优点。

  本文基于Macondo软件FDTD 3D求解器对聚焦光栅耦合器进行仿真,并展示软件的仿真结果。

一、器件的工作原理

  本仿真中光栅耦合器的结构如图1所示,包括硅衬底、埋层、光栅耦合功能区域和起保护作用的顶部氧化层。 其中,光栅耦合功能区域包含三部分:条形波导(I),锥形波导(II),周期性圆弧型格栅(III)。


图1. 栅耦合器的结构模型

  光栅耦合器的工作场景有两种,图 a所示的光输入光栅耦合器和图 b 所示的光输出光栅耦合器。


图2. 光栅耦合器的工作场景示意图 (a)光输入光栅耦合器 (b)光输出光栅耦合器

  对于光输入光栅耦合器,输入光以PinP_{in} 光功率由光纤注入,首先,一部分穿过光栅向下,没有与光栅发生耦合,其中很大一部分光PsubP_{sub} 穿透埋层进入衬底,另一部分则被衬底反射进入埋层;其次,一部分被光栅反射或衍射的光PrP_{r} 传向与光纤注入相反的方向或其他自由空间;然后,还有一些光PbP_{b} 被耦合传向波导传输的背向;最后,一部分光PwP_{w} 耦合至波导传输的方向。为提高光栅的耦合效率,需要降低其他方向的光功率,提高波导输出光功率PwP_{w} 可以通过公式表示: Pw=ηCEPin=PinPsubPrPbP_{w}=\eta_{CE}P_{in}=P_{in}-P_{sub}-P_{r}-P_{b}其中ηCE\eta_{CE} 就是耦合效率(通常以dB为单位,表示为 10log10(Pw/Pin)10log_{10}({P_{w}}/{P_{in}})

  对于光输出光栅耦合器,输入光PwP_{w} 由波导注入,一部分经过光栅产生向上和向下的光,另一部分PtP_{t}PrP_{r} 分别是穿过光栅或被光栅反射回波导。为提高光栅的耦合效率,需要降低其他方向的光功率,使得向上传输的光PupP_{up} 更多的进入光纤,PoutP_{out} 是最终光纤中传输的光,可以通过公式表示:

Pout=ηCEPw=η(PwPrPt)P_{out}=\eta_{CE}P_{w}=\eta(P_{w}-P_{r}-P_{t})

其中η\eta 被称为光栅耦合器的方向性(通常以dB为单位,表示为 10log10(Pout/Pup)10log_{10}({P_{out}}/{P_{up}})

二、器件结构基本设计

2.1光栅耦合器的基本参数设计

  光栅耦合器的截面示意图如图3所示,光栅耦合器的设计的基本参数包括:


图3. 光栅耦合器的截面示意图
  • Λ\Lambda 是光栅的周期

  • lgl_g 是栅格齿宽(均匀栅格)

  • ffff 是占空比 ff=lg/Λff=l_g/\Lambda

  • hgh_g是刻蚀深度

  • θc\theta_c 是光纤的倾斜角度

  • x0x_0 是光纤中心位置与光栅初始位置的距离

      对于光输出光栅耦合器的设计指标包括:

    1)方向性(Directionality):定义为向上衍射的光功率(PupP_{up}) 与从波导入射到光栅耦合器的光功率(PwP_{w}) 的比值。

    2)耦合损耗(插入损耗):耦合进光纤基模中的光功率(PfiberP_{fiber} )与从波导入射到光栅耦合器的光功率(PwP_{w})的比值。

    3)穿透损耗:硅衬底中的功率损耗(PsubP_{sub})与从波导入射到光栅耦合器的光功率(PwP_{w})之比。

    4)1dB或3dB带宽:插入损耗比峰值耦合效率低1dB或3dB的波长范围。

    5)背向反射损耗(回波损耗):反射回波导的光功率(PrP_{r})与从波导入射到光栅耦合器的光功率(PwP_{w})的比值

  为了快速验证设计的合理性,一般在设计光栅耦合器结构时采用2D FDTD 模拟,得到最优的结构参数后,再使用3D FDTD进行验证。图4(a)-(d)分别展示了使用2D FDTD 扫描计算随光栅周期、光纤角度、刻蚀深度、填充因子的变化光栅耦合器的传输特性。


图4. 光栅耦合器的传输特性曲线 (a) 光栅周期范围620nm-700nm (b)光纤角度范围10°-15° (c)刻蚀深度范围70nm-110nm (d)填充因子范围0.2-0.4

  对于光子集成器件结构设计的最优方案的选择,研究人员通常会利用AI算法进行目标优化。本文利用粒子群算法,通过目标优化得到光栅耦合器耦合损耗最小时的光栅周期、光纤角度、刻蚀深度、填充因子的设计参数,优化结果记录在表1。

表1.目标优化得到的光栅耦合器结构参数


2.2 聚焦光栅耦合器的3D 结构设计

  对于聚焦光栅耦合器的光栅弯曲线的设计可以从文献[1]中的推导得到,公式如下:

qλ0=neffx2+y2yntcosθcq\lambda_0 = n_{eff}\sqrt{x^2 + y^2} - y n_t\cos{\theta_c}

其中, qq 是光栅线数量, θc{\theta_c} 是光纤的倾斜角度, ntn_t 是环境包层折射率, λ0\lambda_0 是真空波长, neffn_{eff} 是光栅的有效折射率。


图5. 聚焦光栅耦合器的结构

  本文中聚焦光栅耦合器结构参数如表2所示,材料参数如表3所示:

表2.聚焦光栅耦合器结构参数


表3.聚焦光栅耦合器材料参数


三、器件仿真结果

  通过以上设计方案得到了聚焦光栅耦合器的3D 结构完成后,需要通过3D FDTD 求解器进行完整的特性指标的验证模拟,接下来使用Macondo FDTD 3D求解器进行仿真。

  模拟光输入的聚焦光栅耦合器,光源以光纤的TM模式光注入,波长范围1500-1600nm。

  图6(a)(b)展示了聚焦光栅耦合器xz截面和xy平面的场分布的结果。可以看出光纤到光栅的耦合,并逐渐汇聚到波导中。


图6. 聚焦光栅耦合器的场分布 (a)xz截面 (b)xy平面

  本文的聚焦光栅耦合器的耦合效率如图7所示,峰值耦合效率为-3.19dB,1dB带宽约为45nm。


图7. 聚焦光栅耦合器的耦合效率仿真结果

四、总结

  本文介绍了聚焦光栅耦合器的工作原理,并利用粒子群算法,使用目标优化得到了该器件最优的光栅周期、光纤角度、刻蚀深度、填充因子的设计参数,最终利用Macondo软件的 FDTD 3D求解器进行模拟验证,得到了工作在C波段光纤到光栅的耦合场分布,以及聚焦光栅耦合器的耦合效率曲线和1dB带宽。

  后续将通过 FDTD 3D求解器模拟光输出光栅耦合器,计算光栅耦合器的方向性和背向反射损耗等设计指标。

参考文献

[1] Van Laere F, Claes T, Schrauwen J, et al. Compact focusing grating couplers for silicon-on-insulator integrated circuits[J]. IEEE Photonics Technology Letters, 2007, 19(23): 1919-1921.

[2] Chrostowski L, Hochberg M. Silicon photonics design: from devices to systems[M]. Cambridge University Press, 2015