离子注入

GMPT,2023/09/18

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   离子注入工艺通过多次将高能量的杂质离子打入半导体，可以精确控制半导体内部杂质的剂量、均匀性及深度分布，是半导体制造过程中一个重要的工艺步骤。Nuwa TCAD软件的离子注入工艺功能能够仿真半导体内部的杂质分布情况，并提供工艺探索方向。

离子注入仿真模型

   Nuwa TCAD仿真工具包含可供用户选择的离子注入仿真模型及可导入或修改的模型参数列表。离子注入工艺仿真模型包括：

• 高斯模型（Gaussian）
• 皮尔森模型（Pearson）及双皮尔森模型（Dual-Pearson）

  

• SIMS掺杂分布
• 蒙特卡洛BCA模型

  

特点

• 材料库中包含解析模型、蒙特卡洛模型和SIMS分布，以及对应的参数列表
• 支持用户导入并保存SIMS掺杂分布以及其他模型参数
• 蒙特卡洛BCA模型支持对单晶、多晶和非晶材料的离子注入计算，并包含注入引起的晶体损伤的经验模型