刻蚀

GMPT, 2024/05/28

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   刻蚀工艺通过物理作用或化学反应，去除半导体晶圆表面的材料，可以实现半导体器件的精密加工，是制造半导体器件的重要步骤之一。Nuwa TCAD软件的刻蚀工艺仿真功能能够模拟刻蚀工艺形成的器件表面轮廓的形貌演化，帮助建立2D和3D器件结构。

刻蚀工艺仿真模型

   Nuwa TCAD仿真工具的刻蚀工艺仿真模型描述了刻蚀过程中器件表面形貌的演变过程。

   刻蚀模型包括几何刻蚀模型和物理刻蚀模型：

• 几何刻蚀模型：通过定义需要刻蚀的深度、长度范围或者多边形形状，相对物理刻蚀仿真模型快速实现器件几何结构
  • 分段几何刻蚀
  • 多边形几何刻蚀
• 物理刻蚀模型：实现湿法刻蚀和干法刻蚀造成的表面形貌演变
  • 各向同性刻蚀模型

    

  • 各向异型湿法刻蚀模型*
  • 离子铣刻蚀模型

    

  • Reactive-Ion Etching刻蚀模型*
    • 考虑化学沉积过程和等离子体刻蚀过程共同作用
    • 等离子体刻蚀过程考虑阴影效果和入射离子方向性
  • High-Density Plasma刻蚀模型*
    • 考虑化学沉积过程和等离子体刻蚀过程共同作用
    • 等离子体刻蚀过程考虑阴影效果和入射离子方向性，以及局部溅射刻蚀作用
  • 考虑溅射刻蚀和侧壁聚合物沉积共同作用的Deep Reactive-Ion Etching刻蚀模型*
• Chemical Mechanical Polishing(CMP)模型：由器件结构的非局域形貌控制

  

• 光刻显影模型：用于光刻胶

  

   用户可根据仿真需求选择合适的刻蚀模型进行刻蚀工艺的仿真。

特点

• 具有几何刻蚀模型和准确描述刻蚀工艺形成的表面形貌演变的物理刻蚀模型两种类型，用户可根据需求自行选择。
• 支持目前半导体制造中涉及的大部分刻蚀工艺，且支持用户自定义材料库中刻蚀模型的参数。