氮化镓(GaN)基垂直腔面发射激光器(VCSEL)由于具有低阈值电流、单模输出、低发散角、易于阵列集成和高频特性而受到人们的广泛关注。这些特性使得GaN基VCSEL在光存储、激光显示、激光照明、可见光通信等领域有巨大的应用前景。
(In/Al)GaN材料内部存在较强的极化效应,影响能带结构与载流子分布,通过对器件结构进行模拟,可以了解器件内部的载流子输运行为。本文将基于Nuwa TCAD软件对GaN基VCSEL进行相关仿真和设计,并展示软件仿真结果。
图1. InGaN/GaN VCSEL器件结构示意图
本项工作中,基于InGaN/GaN量子阱的VCSEL器件结构设计如图1所示。上下DBR分别采用了8对和12对介质膜作为反射镜,反射率分别达到99.75%和99.99%。上下DBR之间的谐振腔由GaN材料组成,从上到下依次包括:掺杂浓度为的n型GaN、3对不掺杂的量子阱有源区、掺杂浓度为的20 nm厚度的p型电子阻挡层(EBL)、掺杂浓度为的p型GaN。量子阱和量子垒的厚度分别为3 nm和8 nm。采用氧化硅作为限制层,形成半径为4 um的电流注入孔径;采用ITO作为电流扩展层。(In/Al)GaN材料的带阶设置为0.6,极化率为0.4。
2.1 泊松方程
2.2 电流连续性方程
2.3 SRH复合与俄歇复合
2.4 低场和高场迁移率模型
低场迁移率模型:
高场迁移率模型:
3.1 激光器件的PIV特性
图2. (a)器件的电压随注入电流的变化曲线;(b)激光输出功率随注入电流的变化曲线
激光器的PIV曲线是衡量器件性能的重要参考。激光器在激射之前,特性与发光二极管类似,均具有整流特性,从图2(a)中可以看出激光器的开启电压大约在3.2 V。当器件开启之后,电流迅速增加,随着能带的弯曲,在有源区形成粒子数反转,增益大于损耗,并达到激射阈值。从图2(b)中可以看出,激光器的阈值电流约为1.5 mA,电光转换效率为0.43 W/A,可见激光器件具有良好的输出特性。
3.2 能带特性
图3. (a)器件量子阱附近纵向的能带图;(b)三个量子阱中受激辐射复合速率()。图中从左到右依次为p型区、量子阱有源区和n型区
在此项工作中,截取器件量子阱区域的纵向能带分布来查看器件特性。如图3(a)所示,从左到右的几个区域依次为p型GaN、p型电子阻挡层、量子阱有源区,和n型GaN。在量子阱中存在自发极化和压电极化,在注入电流的作用下形成了能带弯曲,此时电子的费米能级已经进入了导带,达成粒子数反转的条件,在量子阱中形成增益区,实现光子数的放大。图(b)所示为三个量子阱中的受激辐射复合速率(),其值大于0说明在阱中实现了激射。此外,发现从p型到n型量子阱中的依次减小,这主要是因为空穴的迁移能力相比于电子要弱很多,因此空穴会主要分布在靠近p型的量子阱中,导致靠近p型的量子阱更容易实现粒子数反转和激射。
3.3 光场分布
图4. 激光器中光场的(a)二维分布图;(b)一维纵向分布;(c)一维横向分布。图中(b)和(c)为图(a)中箭头所示位置和方向的光场分布曲线。
激光器内部的光场分布如图4(a)所示。在垂直腔面发射激光器中,需要将量子阱有源区置于驻波波腹位置,以实现载流子和光场的最大耦合。图4(b)为有源区附近的光场纵向分布曲线,光场强度在3个量子阱的位置出现了最大值,表明与量子阱实现了良好的耦合,有助于提高光限制因子,改善激光器的输出特性。图4(c)为光场的横向分布曲线,呈现出高斯分布,横向的光场限制主要依靠氧化硅限制层产生的增益波导实现。
3.4 载流子分布与泄露
图5. 空穴浓度的二维分布图:(a)多阱结构;(b)少阱结构。
器件中的空穴分布和输运特性会直接影响到激光器的输出特性。我们希望空穴向量子阱中有较大的注入效率,同时能减少空穴向n型区域的泄露,从而提高电光转换效率,降低漏电流。图5(a)和(b)分别为采用多个和2个量子阱作为有源区的器件中空穴的二维分布图。在两个图中,空穴都主要分布在p型和量子阱区域中;然而,采用少阱会造成空穴向n型区域泄露的增加,如图(b)所示,需要被尽量避免。
本文对GaN基VCSEL器件进行了仿真和设计,介绍了仿真中引用的物理模型的公式和参数,并展示了器件的仿真结果,包括激光器的P-I-V曲线、能带图、受激辐射复合速率分布、光场特性、空穴分布和泄露。通过Nuwa TCAD软件得到的仿真结果,本文进一步分析了器件内部机理,包括能带分布、载流子输运、光场耦合等,为GaN VCSEL器件结构分析和器件性能提升提供了思路。