【摘要】 复旦大学信息科学与工程学院迟楠、沈超教授团队联合上海芯钬、沙特KAUST、鹏城实验室,针对InGaN基可见光激光二极管(LD)的带宽限制问题,提出了三周期量子阱(MQW)结合短腔长的系统性优化方案。研究通过调控载流子在多量子阱中的空间分布均匀性,降低了阻尼因子(Damping Factor),在离散多音频(DMT)调制下实现单波段37.1 Gbps的传输速率。相关成果发表于《Science China Information Sciences》。
在GaN基蓝光激光器的多量子阱有源区中,由于空穴迁移率远低于电子,且III族氮化物材料存在强极化场,导致电子和空穴在各量子阱中的空间分布极不均匀。这种载流子积累效应引发了明显的微分增益饱和:当注入电流增大时,受激辐射增益无法保持线性增长。
这种空间烧孔效应对器件的动态响应产生了直接限制。在传统结构中,这种量子限制导致的微分增益受限使得器件的-3dB带宽通常被限制在5-6 GHz量级,难以支撑30 Gbps以上的高阶信号传输。
针对上述物理限制,研究团队利用Nuwa TCAD工具,通过自洽k·p方法与三维载流子漂移-扩散方程对器件结构进行了参数化仿真。
量子阱数量(MQW Number)优化: 仿真揭示了载流子注入均匀性与光学限制因子之间的权衡。单量子阱虽然具有高辐射速率,但光限制因子较低;而五阱及以上结构中,p侧量子阱占据了绝大部分载流子复合,导致n侧量子阱贡献低下(低贡献区)。三量子阱(3QWs)结构被确定为最优物理平衡点,能有效维持各阱间的载流子布居平衡,从而提升整体微分增益。
50nm波导层设计: 波导层厚度直接影响载流子穿越至有源区的双极输运时间()。Nuwa TCAD仿真数据表明,将波导层厚度优化至50nm,可将压缩至0.02ns量级,在维持2.3%光限制因子的同时,显著降低了频率响应中的低频滚降。
器件的带宽不仅取决于弛豫振荡频率,还受到阻尼因子( factor)的限制。研究团队采用300μm短腔长设计,通过增大镜面损耗()来降低光子寿命(),从而有效抑制阻尼。
实验测得该器件的阻尼因子降低至0.211ns,较此前公开报道的同类器件下降了约46%。小信号分析显示,其谐振频率与平方根电流注入呈良好的线性关系,证实了量子阱中微分增益得到了有效利用。
基于MOCVD生长的器件在140mA注入电流下,-3dB电光带宽达到8.43 GHz。在通信链路测试中,该器件展现了稳定的高性能传输能力:
该研究通过能带工程与微腔光子学的物理协同,系统性地解决了InGaN基激光器中有源区载流子输运受限的问题。Nuwa TCAD在量化微观物理过程、指导结构参数优化方面发挥了核心作用。该器件的研制成功,为高容量水下通信、6G无线光通信提供了可靠的硬件支撑。
论文信息: Science China Information Sciences, 2026, Vol. 69, Iss. 3, 132405. DOI: 10.1007/s11432-025-4581-8.